Китайская компания Hangzhou Garen Semiconductor объявила о запуске первой в мире производственной линии, совместимой с 6- и 8-дюймовыми гомоэпитаксиальными пластинами из оксида галлия. Компания уже начала стабильные поставки 6-дюймовых пластин ведущим разработчикам микросхем, а новая линия должна подготовить технологию к более крупным масштабам производства.

Оксид галлия, или β-Ga₂O₃, относится к сверхширокозонным полупроводникам. Материал обладает запрещённой зоной около 4,8–4,9 эВ и подходит для создания высоковольтных силовых компонентов нового поколения. Такие устройства потенциально могут применяться в электромобилях, зарядных станциях, солнечной энергетике, промышленных преобразователях, электросетях и космической технике.

Главным препятствием для развития отрасли долгое время оставался небольшой размер пластин. Большая площадь позволяет размещать больше кристаллов за один производственный цикл: 8-дюймовая пластина имеет примерно в четыре раза большую площадь, чем 4-дюймовая. Это потенциально повышает производительность линий и снижает себестоимость каждого чипа.

Garen утверждает, что собственная технология выращивания кристаллов и MOCVD-эпитаксии позволила выстроить полный производственный цикл — от монокристалла и подложки до эпитаксиальной пластины. Компания также заявляет о росте производительности в три-четыре раза и сокращении стоимости пластин более чем на 80%, однако независимого подтверждения этих экономических показателей пока нет.

Означает ли это, что оксид галлия скоро начнёт вытеснять кремний, карбид кремния и нитрид галлия, или технологии ещё предстоит пройти долгий путь до массовых силовых микросхем?

Исследователи из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе и Калифорнийского университета в Риверсайде продемонстрировали экспериментальное электронное устройство, использующее коллективное поведение электронов. Разработка основана на волне зарядовой плотности — особом состоянии, в котором электроны и кристаллическая решётка реагируют на внешнее воздействие согласованно.

В качестве канала использовался квазиодномерный квантовый материал — орторомбический трисульфид тантала o-TaS₃. Учёные изготовили наномасштабное устройство с затвором и измерили, как электрическое поле влияет на плотность заряда электронно-решёточного конденсата. Результат оказался неожиданным: изменение плотности заряда было в 10–100 раз больше, чем предсказывали расчёты, основанные на обычной геометрической ёмкости затвора. Усиленный отклик возникает благодаря тому, что поле воздействует не только на отдельные электроны, но и на всё коллективное состояние материала. Исследователи также определили квантовую ёмкость волны зарядовой плотности и построили зонную диаграмму экспериментального устройства.

Подобный принцип потенциально позволит управлять электронными компонентами при меньшем напряжении. В перспективе он может применяться при создании маломощных транзисторов, элементов памяти, датчиков и других устройств на основе квантовых материалов. Архитектура прототипа при этом напоминает привычный полевой транзистор: у него есть канал, затвор и управление электрическим полем.

Однако говорить о готовой замене кремниевых транзисторов пока рано. Исследование демонстрирует новый физический механизм управления зарядом, но ещё не доказывает возможность серийного выпуска процессоров или гарантированного снижения их энергопотребления. Учёным предстоит проверить скорость переключения, стабильность, рабочие температуры и совместимость технологии с массовым производством чипов.

Сможет ли коллективное поведение электронов стать основой нового поколения холодных и сверхэнергоэффективных процессоров?

Акции китайского производителя чипов памяти CXMT (ChangXin Memory Technologies) взлетели на 465,8% в первый же день торгов на Шанхайской бирже (площадка STAR Market). Цена бумаг выросла с 8,66 юаня до 49 юаней, а на пике сессии рост достигал 535% (до 55,03 юаня).

Этот исторический дебют вывел компанию в лидеры китайского рынка и привлек внимание инвесторов по всему миру.

Главные цифры и масштабы IPO

• Капитализация: Рыночная стоимость компании на закрытии составила около 3,3 трлн юаней ($487,7 млрд). На пике торгов она достигала $547 млрд, что позволило CXMT временно обойти Tencent и стать самой дорогой публичной компанией материкового Китая.

• Объем размещения: Компания привлекла 57,92 млрд юаней ($8,6 млрд). Это стало крупнейшим IPO в Азии с начала года и самым масштабным листингом полупроводникового сектора в истории материкового Китая.

• Ажиотаж: Спрос среди розничных инвесторов превысил предложение в 212 раз. Дневной оборот акций CXMT превысил 100 млрд юаней, установив рекорд для акций класса A.

Причины феноменального взлета

1. Бум искусственного интеллекта: CXMT входит в топ-4 мировых производителей оперативной памяти DRAM, которая критически необходима для серверов и ИИ-моделей.

2. Технологический суверенитет: В условиях жестких санкций США Китай активно инвестирует в самодостаточность, делая CXMT «национальным чемпионом» в полупроводниковой гонке.

3. Потенциальные контракты: Ранее появились новости о том, что Apple начала тестировать чипы памяти CXMT для своих гаджетов, выпускаемых для китайского рынка.

4. Финансовый разворот: В текущем году компания вышла на чистую прибыль (33 млрд юаней за I квартал), преодолев период многолетних убытков из-за высоких трат на R&D.

5. Ограниченный free-float: В свободном обращении в первый день находилось всего 6,73% акций, что создало искусственный дефицит на фоне колоссального спроса.

Успешное IPO компании CXMT представляет для США прямую угрозу национальной безопасности, поскольку подрывает эффективность американских технологических санкций и ускоряет достижение Китаем полупроводниковой независимости. По оценкам американских законодателей, приток миллиардов долларов государственного и частного капитала позволит CXMT, уже признанной Пентагоном «китайской военной компанией», резко нарастить выпуск оперативной памяти (DRAM). Это напрямую усилит военный потенциал Пекина, включая разработку передового ИИ-оружия, и позволит Китаю манипулировать глобальными цепочками поставок электроники.

С экономической точки зрения экспансия CXMT бьет по доминированию американских ИТ-гигантов и создает риски масштабного промышленного шпионажа. Массовое производство дешевых китайских чипов грозит обвалить мировые цены на память, что подорвет маржинальность и рыночные позиции американских конкурентов, таких как Micron и SanDisk. Кроме того, в Вашингтоне опасаются интеграции субсидируемых Пекином микросхем в американскую гражданскую и оборонную инфраструктуру, называя их потенциальными «троянскими конями» для киберсаботажа и утечки секретных данных.

https://fomag.ru/news/krupneyshee-ipo-azii-aktsii-proizvodit...
https://www.forbes.ru/investicii/565568-akcii-kitajskogo-lid...
https://www.kommersant.ru/doc/8845821
https://oninvest.com/article/akcii-cxmt-vzleteli-na-466-v-pe...
https://www.chosun.com/english/industry-en/2026/07/30/FHVOGD...
https://www.investing.com/news/stock-market-news/memory-chip...

Японские исследователи, включая специалистов Токийского университета, сообщили о создании одних из самых тонких полупроводниковых нанотрубок в мире. Их диаметр составляет около 1 нанометра — это примерно в 100 тысяч раз тоньше человеческого волоса.

Разработка может стать важным шагом к созданию более компактных микросхем и транзисторов нового поколения. Учёным удалось не только получить сверхтонкую структуру, но и экспериментально подтвердить теоретические расчёты, опубликованные около 25 лет назад.

Главная проблема таких материалов — стабильность. Сверхтонкие неорганические нанотрубки сложно создавать без дефектов. Японские учёные решили эту задачу с помощью нанотрубок из нитрида бора, которые выступили как изолирующая оболочка и одновременно как форма. Внутри неё при нагреве формировалась нанотрубка из дисульфида молибдена, MoS2.

По сути, получилась структура в формате «нанотрубка внутри нанотрубки». Ограниченное пространство заставляет атомы выстраиваться почти идеально, что снижает количество дефектов и делает свойства материала более предсказуемыми. Такие наноструктуры могут быть особенно интересны для транзисторов Gate-All-Around, где затвор окружает канал со всех сторон. Эта архитектура уже считается одним из ключевых направлений развития современных процессоров, а новые нанотрубки могут помочь уменьшить элементы чипов ещё сильнее.

По сравнению с кремнием новый подход даёт шанс создавать материалы с атомной точностью, без дефектов, возникающих при травлении. А по сравнению с углеродными нанотрубками дисульфид молибдена может быть стабильнее и предсказуемее для промышленного производства.

Сейчас исследователи работают над увеличением длины нанотрубок и планируют применять этот метод для других материалов, включая магнитные и сверхпроводящие наноструктуры. Если технологию удастся масштабировать, она может стать одной из основ для сверхкомпактной электроники будущего.

Модуль LinQ HX обрабатывает данные в реальном времени без подключения к интернету или облачным серверам. Производительность — до 30 триллионов операций в секунду. Это позволяет одновременно запускать до пяти нейросетей с задержкой 1,5–2,3 миллисекунды. Устройство поддерживает различные интерфейсы — от датчиков до систем управления, потребляет не более 40 ватт.

В основе ускорителя — российский микрочип для ИИ, который входит в реестр Минпромторга. Компания вложила в разработку около 800 миллионов рублей.

Сейчас устройство не используется в городской инфраструктуре, но в перспективе может применяться в системах видеонаблюдения для автоматического выявления нештатных ситуаций, в автономных роботах, а также в медицинских системах ИИ-диагностики и мониторинга пациентов, рассказали в пресс-службе Правительства Москвы.

Подписывайтесь на Телеграм «Сделано у нас» тут, а на сообщество на Пикабу можно подписаться здесь

Также у нас теперь есть канал в МАХ