Это когда в России карбюраторный двигатель на УАЗик прошлого века стоит, стоит ДОРОЖЕ самого топового iPhone 17.

Краткая справка:

Для тех кто не доехал до самой глубины кринжа

УМЗ-421.8 это просто напросто переименованный карбюраторный двигатель ЗМЗ-21A в 5 поколении*, конструкции конца 50х годов, который серийно устанавливался на ГАЗ-21 (Волга). Само собой разумеющейся, в 2026 году большинство покупает его как раз для замены на свою 21 Волгу. Свапается один в один.

НИЧЕГО принципиально нового в полувековой конструкции не было придумано за более чем 50 лет**. Банально довели немного до ума***. Хоть какие-то ощутимые технические различия были произведены в конце 80х для предыдущей итераций (414, 417). Для 421 увеличи диаметр поршня = 100мм вместо классических 92мм (вырос объем). Из последнего, что было сделано в России - наконец вместо сальника поставили обычную набивку****. Двигатель очень простой и фактически на 100%***** состоит из родного железа, которое, без проблем, производится в России.

При этом, даже за такую безумную цену:

- в комплекте идут самые дешёвые и ноунеймовские свечи с проводами. Выкидываются сразу с заменой на NGK/TESLA (+ 2 000 рублей)

- скорее всего, сразу придётся заново перебрать самому или отдать мастерам. Качество сборки оставляет желать лучшего. (+10 000 - 25 000 рублей)

- спорные технические решения типа ввода необслуживаемых помпы с выжимным подшипником. Обслуживаемые шприцевались совместно с остальными элементами в ГАЗ-21 (+ 2500 + 1000 рублей, в перспективе);

P.s. Хоть в чём-то переплюнули старину Стива Джобса и глобальную американскую корпорацию Apple.

Примечания:

* ЗМЗ-21А → УМЗ-451/451М → УМЗ-414 → УМЗ-417 (обр. 1989 года) / УМЗ-417.8 → УМЗ-421 (обр. 1993 года) / УМЗ-421.8.

** ключевая проблема ЗМЗ-21А это течи в ГБЦ. Пофиксили, подсмотрев технологию пропитки у авиамоторов. Коллектор ЗМЗ-402. Добавили больше болтов в ГБЦ. Улучшена форма камеры сгорания, другой распредвал.

*** справедливости ради, светлые головы таки нашлись на заводе: УМЗ-249, который, впрочем, нормально в серию так и не пошёл. С другой стороны, в УМЗ EvoTech 2.7 ноги оттуда же растут.

**** можно даже проинсталлировать с Mersedes Benz.

***** за исключением стартера - или из Белоруссии или наш «Российский», который производится в Китае целиком и полностью. Впрочем, последний не плох.

Исследователи из KAUST показали, что электронные устройства на основе бета-оксида галлия β-Ga₂O₃ способны работать при экстремально низких температурах — всего 2 К, что соответствует примерно −271 °C. Это почти абсолютный ноль и значительно ниже температур, при которых обычная электроника начинает сталкиваться с проблемами. По словам исследователей, большинство традиционных устройств начинают выходить из строя при температурах ниже примерно 100 К, потому что электроны «замерзают» и перестают нормально участвовать в проводимости.

Оксид галлия интересен тем, что относится к сверхширокозонным полупроводникам. Ранее этот материал уже показывал устойчивость к радиации и высоким температурам, а устройства на его основе могут работать даже при 500 °C с меньшими токами утечки. Теперь команда KAUST продемонстрировала и обратную сторону температурного диапазона: транзистор FinFET и логический инвертор на β-Ga₂O₃ с кремниевым легированием стабильно работали при 2 К.

Ключевая особенность в том, что при таких температурах почти нет тепловой энергии, которая помогала бы электронам переходить в зону проводимости. Но в β-Ga₂O₃ электроны могут проходить через примесную зону, созданную атомами кремния. Это позволяет устройству проводить ток даже в сверххолодном режиме. По словам KAUST, это первая демонстрация сверхширокозонного полупроводника, использованного для создания транзисторов и логических инверторов при таких низких температурах.

Такой результат особенно важен для квантовых компьютеров и космической электроники. Квантовые системы часто работают при температурах около 4 К, а космические аппараты сталкиваются с резкими перепадами температур. Если электроника сможет стабильно работать в диапазоне от нескольких кельвинов до сотен градусов, это может снизить потребность в громоздких системах термозащиты и охлаждения. В будущем исследователи планируют создавать на основе β-Ga₂O₃ радиочастотные транзисторы, фотодетекторы, ячейки памяти и более сложные криогенные чипы.

Растущий спрос на энергоэффективные чипы для смартфонов, ноутбуков и носимых устройств стимулирует поиск революционных материалов. Исследователи из Калифорнийского университета в Беркли, Национальной лаборатории Лоуренса и SLAC обнаружили, что диоксид титана (TiO₂) — обычный диэлектрик, используемый в чипах — превращается в сегнетоэлектрик, когда его толщина снижается ниже 3 нанометров (менее диаметра одной нити ДНК).

Сегнетоэлектрики — материалы, способные к переключаемой электрической поляризации — давно считаются ключом к энергонезависимой памяти и новым вычислительным архитектурам. Но их стабильность на наноуровне и совместимость с кремниевыми технологиями были нерешёнными проблемами.

Команда под руководством профессора Сайифа Салахуддина обнаружила: при толщине всего 1 нм (две кристаллические ячейки) TiO₂ сохраняет стабильную спонтанную поляризацию, которую можно переключать электрическим полем — ключевое свойство для памяти и логики. Это происходит из-за изменения кристаллической структуры при утончении, создающего «встроенную» поляризацию.

Важнейшее преимущество: TiO₂ идеально совместим с современными полупроводниковыми процессами. Его можно осаждать при температуре ниже 400°C с помощью уже используемой технологии атомно-слоевого осаждения (ALD), обеспечивая однородность и масштабируемость. Пленки сохраняют сегнетоэлектрические свойства даже на аморфных углеродных подложках, что открывает путь к 3D-интеграции и новым форматам электроники.

Ссылка на источник: https://www.science.org/doi/10.1126/science.aec9417

Норвежский стартап Lace Lithography привлёк $40 млн на разработку литографической системы нового типа, которая вместо фотонов использует пучок атомов гелия. Среди инвесторов и участников раунда упоминается M12, венчурный фонд Microsoft, а сама компания заявляет, что такая технология может печатать структуры до 10 раз меньше, чем современные решения. По данным Reuters, Lace нацелена на пилотную установку к 2029 году.

Главная идея Lace в том, что атомы гелия не упираются в тот же дифракционный предел, что и фотонная литография. Именно поэтому компания описывает свой подход как BEUV — Beyond-EUV, то есть «за пределами EUV». В публикациях о проекте фигурирует ширина пучка порядка 0,1 нм, тогда как современные EUV-системы работают с длиной волны 13,5 нм. Это и создаёт интригу вокруг потенциально почти атомного разрешения.

При этом речь пока идёт не о готовом промышленном продукте, а о технологии на ранней стадии. На конференции SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026 Lace показала первые результаты и представила подход на базе метастабильных атомов гелия, но отраслевые наблюдатели отдельно подчёркивают, что путь от лабораторного прототипа до массового производства в литографии обычно очень долгий и крайне дорогой.