Однобокая подача материалов, на фоне нынешнего подавляющего распространения импортной электроники, создаёт ложное представление у читателя и зрителя, особенно у молодёжи, об уровне развития станы и её электроники в недалёком прошлом. В результате общество стремительно забывает, что во многих областях науки и техники дореформенного периода наша страна имела весьма высокий уровень развития, часто превосходящий мировой.
Первый в мире спутник, первый в мире космонавт были наши. Первое в мире поражение баллистической ракеты противоракетой с безъядерным зарядом (кстати, ракетой "В-1000" П. Грушина) было получено нашей системой ПРО (Система А), американцы отстали на 23 года. И сбита она была благодаря системе управления, полностью отечественной, построенной на основе ЭВМ "М-40" академика С.А. Лебедева. Первая в мире атомная электростанция была наша. Первый в мире атомный ледокол был наш. Первой в мире ЭВМ производительностью более 1 млн. оп/с. была наша К340А (кстати, так и оставшаяся мировым рекордсменом по производительности среди ЭВМ второго поколения, на транзисторах). Лучшей ЭВМ Восточного полушария в своём поколении была наша БЭСМ-6. Производство интегральных схем в СССР и США началось практически одновременно, в 1962 г. Таких примеров нашего лидерства или соответствия передовому уровню было огромное количество. В СССР информация о достижениях электроники, как и многих других направлений науки и техники, была в значительной степени засекречена. И тогда общественность о многих наших достижениях и приоритетах не знала, а в нынешних условиях и то, что было известно, забывается. Это создаёт у непосвящённых, особенно у молодёжи (если бы только у молодёжи! - прим. ред. группы), не знающей жизненных реалий тех времён, ложное представление, что своей электроники у нас никогда не было. Что совершенно не соответствует действительности и даёт ложные ориентиры на будущее.Что же было на самом деле? Номенклатура "элементной базы", официально это называлось "изделия электронной техники" – ИЭТ, сейчас ЭКБ – электронная компонентная база), весьма обширна и разнородна. От "простейших" резисторов, до сложнейших микросхем. Это и конденсаторы, и транзисторы, и разъёмы, и переключатели, и трансформаторы, и радиолампы, и кинескопы, и многое, многое иное. С самого зарождения электронной промышленности в стране в 1961 г. министр А.И. Шокин стремился реализовать принцип её опережающего развития относительно запросам потребителей. На основе инициативных разработок отрасли. Но далеко не всегда потребители воспринимали эти инициативы. Так, 1 февраля 1973 г. на заседании в Военно-промышленной комиссии при СМ СССР (ВПК) А.И. Шокин привёл следующий пример: "МЭП инициативно разработал СВЧ-приборы миллиметрового диапазона, опережающие зарубежный уровень, но 5-6 лет эти приборы остаются невостребованными разработчиками РЭА – они не видят аналогов за рубежом и не хотят рисковать. Пример СВЧ ЭВП миллиметрового диапазона – не единственный". (Кстати, в СВЧ-приборах наша электроника всегда была и есть на передовых в мире позициях). Именно инициативные разработки МЭП соответствовали, а часто и превосходили мировой уровень. И именно для демонстрации преимуществ созданных ИЭТ, не оценённых потребителями, Минэлектронпрому часто приходилось разрабатывать и аппаратуру на их основе.
...Если за мировой уровень развития электроники принимать не рекордсменов, а некоторый спектр перспективных изделий с лучшими параметрами, что вполне справедливо, то многие наши ИЭТ этому спектру вполне соответствуют. Оценка динамика развития отечественной электроники на основе такого подхода, качественно (на 2010 г.) представлена на рис. 122.
Здесь мировой уровень представлен некоторой жёлтой полосой совокупности параметров, верхняя граница которой соответствует рекордным характеристикам, а нижняя отделяет характеристики изделий, современных соответствующему периоду, от характеристик устаревших изделий. Характеристики лучших отечественных изделий электроники представлены более узкой темно-зелёной полосой. Рисунок показывает технический уровень отечественной электроники как в целом соответствующий спектру характеристик мирового уровня, иногда проваливаясь вниз, а иногда прорываясь в лидеры.
Все вышесказанное о техническом уровне отечественной электроники относится к разработкам и началу производства новых ИЭТ. Хуже обстояло с организацией их массового производства – МЭП всегда находился в состоянии острого дефицита мощностей серийных заводов.
Основой электронной промышленности являются новые технологии, в этом её принципиальное отличие от аппаратостроения, основой которого являются новые архитектурные и схемотехнические решения. А микроэлектронные технологии требуют особых: сверхчистых материалов, сверхсложного и сверхпрецизионного технологического оборудования и особых сверхчистых и без вибраций производственных помещений. Причём, всё это нужно только микроэлектронике, т.е. в относительно небольших количествах, невыгодных производителю.
Эта особенность привела к тому, что профильные министерства (химики, металлурги, машиностроители, приборостроители, строители и др.) часто отказывались от разработок и производства для Минэлектронпрома специальной продукции, соответствующей их специализации.
Импортировать в условиях противостояния двух систем в форме "холодной войны" с "балансированием на грани войны" (термины тех лет) ничего передового не удавалось, только второстепенное. Страны НАТО во главе с США создали специальный международный комитет КОКОМ, который строго следил, чтобы ничего передового, стратегически важного в СССР и его союзникам из капиталистических стран не поставлялось.
В результате Минэлектронпрому все приходилось делать самому. И он прекрасно справлялся с этой задачей, создавая новые технологии и всё необходимое для их промышленную реализацию. И строя опытные (для отработки новых разработок) и серийные заводы.
Но на тиражирование этих заводов в нужных количествах средств Минэлектронпрома не хватало. А государство на финансирование строительства заводов средств выделяло всё меньше и меньше. А объём производства микросхем всё меньше и меньше соответствовал потребностям страны.
По этой причине на заводы профильных инновационных центров, например, зеленоградского по микроэлектронике, изначально задуманные как опытные, директивными документами было возложено серийное производство продукции, что, естественно, влекло к снижению эффективности инновационных центров по созданию новой продукции.
Но, несмотря на всё это, электронная промышленность под руководством А.И. Шокина развивалась самыми высокими в стране темпами. В дореформенный период темпы роста объёмов производства в МЭП всегда был значительно выше, чем в промышленности страны в целом, к 1990 г. – почти в 34 раз. При том, что рост численности производственного персонала в МЭП был всего в 3,5 раза, а выработка на одного работающего – почти в 10 раз были выше, чем в промышленности в целом. Следовательно, эффективность производства в электронной промышленности была примерно в 10 раз выше, чем в среднем по промышленности в стране.
Именно благодаря высочайшей эффективности работы отечественной электронной промышленности наша страна занимала уверенные, а часто лидирующие позиции в важнейших отраслях науки и техники. 13.08.1975 г. на заседании ВПК С.А. Афанасьев (министр общего машиностроения) заявил: "Только благодаря МЭП с надёжностью ИС в 1 отказ на 100 миллионов и миллиард часов, нам удалось создать новые ракеты". А в 2009 г. свою статью, посвящённую 100-летию А.И. Шокина, Ж.И. Алфёров начал абзацем: "Я очень высоко оцениваю советскую электронику, созданную под руководством её министра, Александра Ивановича Шокина в 60–80-е годы прошлого века. В 1970–1980-е годы существовали только три страны с развитой электроникой: США, Япония и СССР. Но по многим направлениям советская электроника занимала передовые позиции…"
И все же многие ИЭТ МЭП разрабатывал и производил по зарубежным аналогам, программируя этим отставание от мирового уровня в данном направлении.
Попробуем разобраться с этим на примере микроэлектроники - самом сложном изделии электронной техники. И самом важном. И прежде всего на уже упомянутом утверждении многих отечественных компьютерщиков и радиоэлектронщиков об "отставании отечественной элементной базы". Действительно, большинство изделий микроэлектроники (но далеко не все) разрабатывались по зарубежным аналогам, следовательно, появлялись в нашей стране на пару и более лет позже, чем в других развитых странах. В народе этот процесс уничижительно назывался "передиром", официально – "воспроизведением".Всегда ли это было, почему и как это происходило?
Рождение мировой микроэлектроники состоялось в 1962 г. и связано с началом серийного производства первых полупроводниковых интегральных схем (ИС) фирмами Fairchaild (серия "Micrologic"), Texas Instruments (серия "SN-51") в США и Рижским заводом полупроводниковых приборов (полупроводниковой ИС "Р12-2" и серии гибридных ИС (ГИС) "Квант" на её основе) в СССР. В СССР это событие ознаменовалось еще и выходом Постановления ЦК КПСС и СМ СССР от 8 августа 1962 г. (№ 831-353) о развитии отечественной микроэлектроники и создании её инновационного центра – Центра микроэлектроники (ЦМ, позже "Научный центр" – НЦ)) в будущем Зеленограде. ЦМ создавался практически на пустом месте, располагая сначала только тремя типовыми школьными зданиями. Но уже через два года завод "Ангстрем" выпускал микроприёмник "Микро" и первую серию толстоплёночных ГИС "Тропа", а завод "Элион" приступил к изготовлению вакуумного оборудования. И это было только начало. На вновь создаваемые предприятия микроэлектроники, и в ЦМ, и в других регионах страны пришли высококвалифицированные инженеры из радиоэлектронных предприятий. Они принесли с собой богатый опыт проектирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) из дискретных элементов и прекрасно знали, какие функциональные узлы (ячейки) нужны для построения РЭА
