Специалисты SemiAnalysis исследовали процессор HiSilicon Kirin 9030, установленный в смартфонах Huawei Mate 80 и произведённый китайской компанией SMIC по техпроцессу N+3. Это третье поколение собственной 7-нм технологии SMIC и один из самых совершенных серийных процессов, доступных китайской полупроводниковой промышленности.

Под электронным микроскопом исследователи обнаружили минимальный шаг металлических соединений около 32,5 нм. Это меньше 36 нм, измеренных в некоторых ячейках процессоров Intel Panther Lake на техпроцессе 18A. Но объявлять SMIC победителем нельзя: шаг металлизации является только одним параметром, а Intel 18A поддерживает более плотную разводку и использует PowerVia — подачу питания с обратной стороны кристалла.

Более показательно сравнение плотности транзисторов. По оценке SemiAnalysis, SMIC N+3 достигает приблизительно 113,4 млн транзисторов на квадратный миллиметр. Это немного выше показателя TSMC N6 — около 107,7 млн, но примерно на 38% ниже уровня Intel 18A. Таким образом, лучший китайский техпроцесс приблизился по плотности к зрелому 6-нм производству TSMC, но пока не догнал современные передовые узлы Intel, TSMC и Samsung.

Главное достижение SMIC заключается в том, что такой результат получен без EUV-литографии. Китайская компания использует DUV-оборудование, многократное формирование рисунка, компактные стандартные ячейки, контакты над затворами и другие агрессивные методы оптимизации. Это позволяет повышать плотность, но одновременно увеличивает число производственных операций, стоимость и риск снижения выхода годных кристаллов.

Переход на N+3 позволил Huawei разместить в Kirin 9030 больше вычислительных блоков и кеш-памяти при близком размере кристалла. Однако высокая плотность ещё не означает лидерство в производительности: архитектура процессорных ядер и отсутствие более современных производственных технологий по-прежнему ограничивают частоты и энергоэффективность китайского чипа.

Санкции не остановили развитие китайской микроэлектроники, но заставили SMIC добиваться каждого улучшения гораздо более сложными и дорогими способами. Сможет ли Китай продолжить масштабирование без EUV или дальнейший прогресс потребует собственного литографического оборудования?

TSMC продолжает ускоренно расширять производство на самых передовых техпроцессах — 3 нм и 2 нм. Причина очевидна: спрос на чипы для искусственного интеллекта уже превышает возможности крупнейших контрактных производителей. К концу 2026 года компания планирует увеличить выпуск таких пластин примерно на 20%, чтобы частично закрыть потребности крупнейших клиентов рынка.

Основной акцент TSMC делает именно на 3-нм и 2-нм техпроцессах, потому что именно на них сегодня заказываются самые важные ИИ-чипы нового поколения. По имеющимся данным, компания уже столкнулась с серьёзной нехваткой мощностей на своём ведущем 3-нм производстве в Тайване. При этом план выпуска был пересмотрен в сторону роста: вместо прежних ориентиров TSMC рассчитывает выйти на значительно более высокий объём производства к концу года.

Параллельно компания активно продвигает и 2-нм направление. Это особенно важно на фоне долгосрочных заказов от таких гигантов, как NVIDIA, AMD и Apple, которые продолжают резервировать мощности вперёд. Несмотря на масштабные инвестиции в новые фабрики и расширение существующих линий, дефицит, по прогнозам, может сохраняться как минимум до 2027 года.

В этом видео разберём, почему TSMC наращивает выпуск 3-нм и 2-нм пластин, как бум ИИ влияет на рынок полупроводников, почему даже крупнейший производитель чипов уже не успевает за спросом и какие возможности это открывает для конкурентов вроде Intel.